关于PN结形成,当自动扩散形成后,P区的空穴 进入N 区 和N 区的电结 合 ,之后为什么带正电

关于PN结形成,当自动扩散形成后,P区的空穴 进入N 区 和N 区的电结 合 ,之后为什么带正电 PN结空间电荷区内的载流子为什么不多?少了的那些载流子都哪里去了啊?当p型半导体和n型半导体接触的时候，载流子会进行扩散，然后形成pn结，在形成空间电荷区后达到平衡态。但是在这 PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是：当p区耗尽区的空穴被填充，这个三价杂质和硅形成的稳定结构，但 PN结正向偏置处于导通状态下载流子扩散的疑惑根据《模拟电子技术基础（第四版》,PN结不接外电压时,P区的空穴向N区扩散,与自由电子复合；同理N区的自由电子向P区扩散,与空穴复合,形成空 当PN结正偏压超过内电场PN结正偏时,外电场驱使载流子进入空间电荷区中和,内电场被削弱变窄,扩散继续进行而形成扩散流；当正偏压超过内电场时,是否意味着内电场被完全中和抵消?（如果P PN结形成是扩散电流的形成原因各种比较权威的书本上解释说：PN结形成过程中的扩散电流是由于P极和N极载流子浓度不一样,存在浓度差而形成的.载流子中的自由电子不是只有受到电场作用 假如PN结处没有电子的扩散（不形成空间电荷区）,那么PN结还具有整流特性吗?这个字数限制太恶心了。 PN结电荷区不是因为扩散运动形成的,加正电场扩散变强了,电荷不是变多了,为什么还变窄了? PN结形成时扩散和漂移是同时进行的吗我就是想知道是先扩散形成的空间电荷层,后有漂移,还是同时进行的,就那个动态平衡不太明白 P型硅怎么形成pn结 PN结的形成原理? P、N型材料互联形成PN结,P型或N型和金属相联处也有浓度差扩散电流和漂移电流,可以形成类似电荷区吗? PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗? PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗? PN结的反向电流成分主要是什么?在正偏PN结中的N区,电子进入P区形成的是不是电子空穴复合?我想知道半导体器件物理中关于PN结的电流成分和电流形成过程 二极管p型区与导线连接会不会有电子与空穴结合希望大家能帮我.晶体硅掺入了两种杂质后形成PN结,也就形成了二极管,PN结是多数载流子结合形成的（这是对的吧）,我想问下导体中有自由电 说明PN结形成的原理 什么是PN结,它是怎样形成的?