关于三极管的基础问题截止区ic<=iceo,饱和区ic<=βIB,这个小于关系是怎么来的,是应该用表面漏电流和半导体材料的分流解释么放大区的ic实际上是受到UBE控制的,为什么说是受到ib控制?ib与i

关于三极管的基础问题截止区ic<=iceo,饱和区ic<=βIB,这个小于关系是怎么来的,是应该用表面漏电流和半导体材料的分流解释么放大区的ic实际上是受到UBE控制的,为什么说是受到ib控制?ib与i 三极管截止区的问题. 书上说U be 小于死区电压时,I b=0,什么意思 关于三极管问题,假如我让三极管的基极电流不变,而让集电极电压波动会如何?（续问）关于三极管问题,假如我让三极管的基极电流（电压）不变,此时Ic=βIb.这时我瞬间提高集电极电压（允许 怎样从Ic-Uce图上看三极管的截止失真和饱和失真?当工作点还在放大区时 关于模拟电路三极管工作原理的问题之前学模电三极管工作在放大区是发射结正偏集电结反偏,然后Ic≈Ie,但是集电结反偏了呀,为什么还会有Ic呢?书上说好像是扩散效应,但是扩散效应产生的 如何理解三极管的饱和区、放大区、截止区 三极管的基础问题~三极管中电流Ib控制电流Ic的微观解释是否如下：由于Ib在发射结上是正向偏置,所以Ib的大小就控制了发射结空间电荷区的宽窄程度,从而控制了电流Ie所遇到的电阻的大小, IC封装与一般的二极管、三极管封装有无区别?还是IC封装就包括二极管、三极管封装?本人最近在看关于封装的知识,在下感激不尽! 关于三极管的饱和压降如果某三极管的饱和压降是0.3伏,是不是就意味着不管该三极管工作在截止区还是放大区还是饱和区,ce两点的电压都是大于或者等于0.3伏? 半导体三极管工作在饱和区时,Uces约为多少,当工作在截止区时Ic约为多少那U呢? 三极管放大时Ic=βIb,饱和时Ic 模拟电子技术基础中关于三种基本放大电路的问题在基本放大电路中,在已知ib和ic的情况下求rbe时为什么认为ic约等于ie,而不用ie=ic+ib.答案中给的是约等于那种.如果考试我写第二种是否算正 ib=ic时,三极管是什么状态 问一个关于三极管放大倍数的问题用multisim11仿真做的实验 用的三极管型号是 ZTX321 图(ZTX321 的DATASHEET)里打红框的是直流放大倍数吧.首先 我不明白红框处的CONDITIONS 有什么意义 另外 在截止区 三极管放大问题,Ib Ie Ic .Ib的微弱变化会导致Ic的较大变化的原因,是因为要提高Ib就要提高Veb,而当Veb提高后Ie也会提高,又因为 Ie 远大于 Ib 且 Ie增幅-Ib增幅=Ic增幅 ,所以Ic增幅远大于Ib增幅吗?如 关于数字电路中三极管的饱和状态的电流问题在数字电路中,三极管无非是饱和和截止,截止很好理解,两个pn结不导通.但是在饱和状态下,两个pn结是正偏的,以npn为例,两个pn结正偏,那电流的流 三极管进入饱和区或截止区时会使得放大电路的输出信号产生_____ 已知三极管的Ic＝2ma B=50则 Ib= Ie=