为什么高掺杂的半导体耗尽层窄原理是什么呢?

为什么高掺杂的半导体耗尽层窄原理是什么呢? 为什么高掺杂的半导体耗尽层窄 PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大, 半导体掺杂的目的是什么?是为了使导电性变好?为什么呢? PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比较清楚的答案 本证半导体的导电能力为什么不如掺杂半导体 齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对, 半导体加热器的工作原理是什么呢? 为什么半导体要掺杂三价或者五价的元素?为什么不能掺杂六价或者四价的元素呢?或者其他的 半导体物理学：耗尽层近似的局限性 模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么? 半导体中的掺杂半导体分哪几种?半导体中的掺杂半导体貌似有两类,跪求这两种的名称 为什么在半导体上掺杂金属离子会减小半导体的禁带宽? 半导体物理中“空间电荷区”、“耗尽层”、“势垒区”三者的含义一样吗? 硅半导体中 耗尽层的厚度最大现在可以做到多大? PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理 PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电