本征半导体温度升高后两种载流子浓度是否仍然相等?

本征半导体温度升高后两种载流子浓度是否仍然相等? 当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度：A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小 温度一定时,半导体中的本征载流子浓度是一定的吗? 为什么,在室温附近,温度升高,杂质半导体中少数载流子浓度升高. 为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小 为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小 一道半导体物理的题温度对过半导体剩载流子的寿命有什么影响?答案是在进入本征激发占主导的温度以前,随温度升高,寿命增加.我想问问为什么? 1． 本征半导体中的两种载流子是 ,N型半导体多数载流子是 . 掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?（本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3） 填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征 本征载流子浓度与哪些因素有关? 杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定?和温度有什么关系? 半导体中载流子浓度由什么决定? 温度升高,杂质半导体中多子浓度有变化吗? 关于本征半导体对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.但是,为什么在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上 温度如何影响杂志半导体的载流子浓度包括多子何少子,谁的变化显著 在本征半导体中参入微量三价元素形成的杂质半导体,其多数载流子是什么? 1．正常工作状态下的稳压二极管,处于伏安特性曲线中的（ ）.A.正向特性工作区 B.反向击穿区 C.正向特性非工作区 D.特性曲线所有区域2.本征半导体的载流子浓度随温度上升而变,其中（ ）.A