作业帮PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/05 22:58:40
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PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法
PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法
PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法
是扩散电流与漂移电流的平衡吧,肯定有啊,PN结空间电荷区是耗尽区,没错,但不代表耗尽区里面就没有载流子（只是说载流子的浓度少了,总的电荷的代数和不为零,所以产生了净电荷,才叫空间电荷区,而载流子浓度相比P区,N区而言,少了很多很多,看起来像耗尽了一样,所以才叫耗尽层,但不是没有.）
扩散电流,是由于结的两边,同一种载流子（比如电子）有巨大的浓度差（浓度梯度）,所以会有从高浓度向低浓度扩散的趋势（尽管空间电荷区的内建电场对这种扩散起的是阻碍作用,但肯定是有部分,而且是相当一部分电子能够从N区成功穿越空间电荷区到达P区）
但由于 内建电场的方向,是对P区N区的少子产生的抽取作用,结的边缘,就会有少数载流子被拉向对方区域（P区的少子电子被拉向N去,N区的少子空穴被拉向P区,它们在耗尽区里边都是沿着电场的作用方向运动,所以叫漂移呢）,这就是漂移电流.
热平衡态的PN结,这两种电流的强弱程度是大小相等方向相反的,处于平衡态,故PN结的结的宽度才是稳定的,只有当受到外界条件变化,如加电压,光照等等,打破了二者之间的平衡,才会出现PN结的各种参数的变化,如耗尽区的宽度变化（变容二极管就是类似的原理哦,加压,改变PN结耗尽宽度,其实PN结也可以看做电容,不同的电压下,具有不同的电容效应,如势垒电容,扩散电容.）
哥们儿,扯了这么多,一字一句都是原创啊,手都打酸了,建议多看看半导体物理上面的基础解释.
PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法
为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层?
PN结耗尽层中的杂质离子为什么不能移动?
关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大,
模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么?
1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将变（）
PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄
pn结加正向电流为什么不马有扩散电流,为什么要大于门槛电压才导通,不是PN结扩散电
PN结的方向饱和电流的大小 和 雪崩电压的大小由上面特性决定的?这个问题主要问的是 反向电流 雪崩电压 由PN结那些特性决定?比如扩散浓度 梯度 耗尽层特性 杂质等方面.对于光线和温度,我
外电路如何产生空穴PN结处因为多数载流子耗尽及内建电场的方向问题,只有少子的漂移运动,而耗尽区无法提供载流子.但是想象如下的情况：PN结加正向偏置电压,扩散运动加强,N区的电子扩散
PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比较清楚的答案
PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大
PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理
什么是PN结势垒电容 什么是PN结扩散电容?
PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电
PN结势垒电容随外加电压变化的问题,PN结正偏压增大时,耗尽层变窄,耗尽层电荷量减少,也就是存储的电荷量减少,势垒电容应该减小才对啊?为什么书上说正偏压增大,势垒电容增大?难道势垒电
二极管的单向导电性的原理一问：二级管有单向导电性,当PN结正偏时,由于外电场抵消了内场,所以耗尽层变薄,但这时二极管内导电是由于载流子的扩散起作用还是漂移起作用呢,还是二者都有
模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易