4.已知一晶体管在UCE=10V时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,IC从2mA变到4mA,这个晶体管的动态电流放

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/16 17:42:49
4.已知一晶体管在UCE=10V时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,IC从2mA变到4mA,这个晶体管的动态电流放
x)3{}Khx6sۓ[tΊPgW[Cgӷٱ nY-OVe볭ϦI*@ ltө2Ld>55P~dӆgS755/.H̳yP

4.已知一晶体管在UCE=10V时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,IC从2mA变到4mA,这个晶体管的动态电流放
4.已知一晶体管在UCE=10V时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,IC从2mA变到4mA,这个晶体管的动态电流放

4.已知一晶体管在UCE=10V时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,IC从2mA变到4mA,这个晶体管的动态电流放
(4-2)/(0.08-0.04)=2/0.04=50 电流放大倍数为50

4.已知一晶体管在UCE=10V时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,IC从2mA变到4mA,这个晶体管的动态电流放 某一晶体管的极限参数为Pcm=100mW,Icm=20mA,U(BR)(ceo)=15V,在()情况下能正常工作?A. Uce=6V,Ic=10mAB. Uce=3V,Ic=25mAC. Uce=12V,Ic=10mAD. Uce=16V,Ic=10mA 某一晶体管的极限参数为Pcm=199mW,Icm=20mA,U(BR)(ceo)=15V,在()情况下能正常工作?A.Uce=3V,Ic=10mAB.Uce=2V,Ic=40mAC.Uce=8V,Ic=18mAD.Uce=10V,Ic=15mA是单选 .已知晶体管的β=100,UBE=0.7V,若要求UCE=3V,则UB=? 某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V,因此,当工作电压UCE=10V时,工作电流IC不得超过为什么?求详解 谢谢! 在电路中测得三极管两个电极之间的电压Ube=0.72V,Uce=0.3V 判别三极管工作在什么 模拟电子技术,三极管.以下是三极管的管压降,说明每个管子是NPN时是在何种状态,是PNP时又在何种状态?Ube=0.7V,Uce=0.3VUbe=0.7V,Uce=4VUbe=0V,Uce=4VUbe=-0.2V,Uce=-0.3VUbe=-0.2V,Uce=-4VUbe=0V,Uce=-4V 请说明知识 放大电路,已知晶体管β=100,Rc=2.4K,Re=1.5K,Vcc=12V,若要使Uce的静态值达到4.2V,估算RB1和Rb2的值 测得三个硅材料NPN型三极管的极间电压Uce和Ube分别如下试问:它们各处于什么状态?为什么?(1)Ube=6V,Uce=5v;(2)Ube=0.7v,Uce=0.5v;(3)Ube=0.7v,Uce=5v.2:测得三个硅材料PNP型三极管的极间电压Uce和Ube分别如 串联型晶体管稳压电路中,已知R1=R2=Rw=10KΩ,当电位器Rw抽头调至中间时,测得U0=12V,求输出电压调节范围 为什么工作在放大区的晶体管当基极电流不变时增大Uce但Ic不变 三极管判断是NPN时工作在什么状态?是PNP时工作在什么状态?1,Ube=-0.2V,Uce=-0.3V,2,Ube=-0V,Uce=-4V 硅三极管放大电路中,静态时测得集—射极之间直流 电压UCE = 0.4V,则此时三极管工作于( ) 状态.硅三极管放大电路中,静态时测得集—射极之间直流 电压UCE = 0.4V,则此时三极管工作于( ) 状 在如图所示的放大电路中,已知Ucc=12V,Rc=6千欧,Re1=300欧,Re2=2.7千欧,Rb1=60千欧,Rb2=20千欧.RL=6千欧,晶体管β=50,Ube=0.6V,求(1)静态工作点Ib、Ic、及Uce;(2)画出微变等效电路;输入电阻ri、r.、Au 基本放大电路(实用电子技术)1.在图示放大电路中,已知UCC=12V,RC= 3kΩ,Re=1kΩ ,,RB1= 200kΩ,RL= 3kΩ ,晶体管β=50,UBE=0.6V,试求:(1) 静态工作点 IB、IC 及 UCE;(2) 画出微变等效电路;(3) 输入电阻ri、ro及 晶体管的输入特性曲线为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大? 晶体管的输入特性曲线为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大? 15.在放大电路中,当集电极电流增大时,即使晶体管( ).A、集电极电压UCE上升 B、集电极电压UCE下降 C、基极电流不变 D、基极电流也随着增大