判断对错 1 只有单晶体硅或锗才能制作半导体器件() 2 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体()3 PN结正向偏置时电阻小,反向偏置电阻大()4 一般来说,硅晶体二极管的死区电压小

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/01 09:25:04
判断对错 1 只有单晶体硅或锗才能制作半导体器件() 2 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体()3 PN结正向偏置时电阻小,反向偏置电阻大()4 一般来说,硅晶体二极管的死区电压小
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判断对错 1 只有单晶体硅或锗才能制作半导体器件() 2 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体()3 PN结正向偏置时电阻小,反向偏置电阻大()4 一般来说,硅晶体二极管的死区电压小
判断对错 1 只有单晶体硅或锗才能制作半导体器件() 2 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体()
3 PN结正向偏置时电阻小,反向偏置电阻大()
4 一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死去电压()
5 当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小,当反向电压大于反向击穿电压后其反向电流迅速增加()

判断对错 1 只有单晶体硅或锗才能制作半导体器件() 2 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体()3 PN结正向偏置时电阻小,反向偏置电阻大()4 一般来说,硅晶体二极管的死区电压小
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